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机译:具有不同阻挡和隧道氧化物厚度的Al2O3 / La2O3 / Al2O3多层膜的存储特性
机译:具有不同阻挡和隧道氧化物厚度的Al2O3 / La2O3 / Al2O3多层膜的存储特性
机译:Al2O3 / HfO2 / Al2O3堆叠隧穿层在氧化g纳米晶体非易失性存储器上的厚度依赖性
机译:非晶铟镓锌氧化锌薄膜上Si3N4和Al2O3层的电荷俘获特性
机译:具有双层高MOS存储器-??隧道氧化物Al2O3 / HfO2和ZnO电荷俘获层
机译:Al2O3(0001)上Zr和ZrC薄膜的生长和表征
机译:四层石墨烯纳米片与不对称Al2O3 / HfO2隧道氧化物的2.85-nm Si纳米颗粒相比具有增强的非易失性存储特性
机译:四层石墨烯纳米片与不对称Al2O3 / HfO2隧道氧化物的2.85-nm Si纳米颗粒相比,具有增强的非易失性存储特性