机译:四层石墨烯纳米片与不对称Al2O3 / HfO2隧道氧化物的2.85-nm Si纳米颗粒相比,具有增强的非易失性存储特性
机译:Al2O3 / HfO2 / Al2O3堆叠隧穿层在氧化g纳米晶体非易失性存储器上的厚度依赖性
机译:具有多层Al2O3 / HfO2 / Al2O3隧道势垒的坚固耐用的低压程序可擦除钴纳米晶体存储电容器
机译:具有不同阻挡和隧道氧化物厚度的Al2O3 / La2O3 / Al2O3多层膜的存储特性
机译:具有超薄Al2O3-TiO2纳米层的MOS存储器层叠了隧道氧化物和2.85-nm Si-纳米粒子电荷俘获层
机译:增强金属纳米颗粒嵌入氧化石墨烯的光发射
机译:四层石墨烯纳米片与不对称Al2O3 / HfO2隧道氧化物的2.85-nm Si纳米颗粒相比具有增强的非易失性存储特性
机译:四层石墨烯纳米片与具有不对称Al