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檀长桂2 - 0620
檀长桂;
电子科技大学;
槽形; 结构; 应变;
机译:了解TiN阻挡层对具有ALD-TiN / ALD-TiAlC金属栅叠层的MOS器件电性能的作用
机译:具有ALD HfO2,HfSiOx和HfSiON栅极电介质的MOS器件中使用不同镧前体的ALD La2O3覆盖层的电学特性
机译:应变对具有SiGe合金薄膜的PMOS器件反型层中空穴迁移率的影响
机译:具有应变硅沟道的源极异质结LDMOS器件的分析
机译:具有ALD高k电介质的砷化镓和砷化铟镓MOS器件。
机译:单轴拉伸应变下具有S空位的单层MoS2的结构和电子性质的第一性原理研究
机译:高掺杂下一代应变Si CMOS器件结构的微拉曼应变计量的约束
机译:LDRD最终报告 - 研究沉积磁性薄膜在磁记忆技术上的工艺整合对辐射强化CmOs器件和电路的影响 - LDRD项目(FY99)
机译:具有增强的介电应变层的高性能LDMOS器件
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