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目录
第一章 绪论
1.1 研究背景
1.2 硅基 CMOS 技术发展及研究现状
1.3 本论文研究内容与章节安排
第二章 应变对 MOS 影响机理与引入机制
2.1 应变对 Si 能带结构的影响
2.2 应变对 Si 载流子迁移率的影响
2.3 应变引入机制
2.4 本章小结
第三章 应变硅 N/PMOS 器件设计与优化
3.1 Sentaurus TCAD 仿真环境
3.2 N/PMOS 器件关键结构设计
3.3 应变硅 N/PMOS 电学特性模型
3.4 NMOS 器件优化与实现
3.5 PMOS 器件优化与实现
3.6 本章小结
第四章 环形振荡器设计研究
4.1 反相器结构设计
4.2 应变硅 CMOS 反相器静态特性
4.3 CMOS 反相器动态性能
4.4 环形振荡器设计与仿真
4.5 本章小结
第五章 总结与展望
致谢
参考文献
研究成果