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Impact d'une post-oxydation thermique sur l'isolation électrique d'un dispositif MOS contenant des nanocristaux de silicium obtenus à partir de dépôts PPECVD

机译：热后氧化对包含从PPECVD沉积获得的硅纳米晶体的MOS器件电绝缘的影响

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Perret-Tran-Van Simon;
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年度 2011
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