应变硅:45nm的基本要素

摘要

当晶体管尺寸达到45nm以后．传统的等比例缩小方法很快就会碰壁。随着电流密度的增大．迁移率的提升成为保持晶体管性能的关键．因为电源电压被等比例缩小以降低芯片的动态功耗。Freescale Semiconductor新型器件事业群的经理Aaron Thean说：“随着等比例缩小的不断进行．对功耗、性能，成本、可变性和密度的限制不断增强．这将工艺技术与芯片上的电路和系统前所未有地紧密联系起来。”