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吴一晨;
天津理工大学;
三氧化二铟薄膜; 锡掺杂; 铬共掺; 光敏性能; 制备工艺;
机译:通过使用In-III乙酰丙酮与5 mol%溶解在乙酰丙酮中的Sn-IV双乙酰丙酮二溴化物的气溶胶辅助CVD生长的Sn掺杂In2O3的透明导电薄膜
机译:射频溅射SnO2,Sn掺杂的In2O3和Ce掺杂的TiO2薄膜作为电致变色窗的透明对电极
机译:Cu掺杂的结构效应和Ti,Zr和Ge掺杂的电子效应对In2O3和Sn掺杂的In2O3陶瓷物理性能的影响
机译:反应化学粉碎法制备的Sn掺杂In2O3薄膜的非线性光学性质和发光特性研究
机译:二-B-羟基乙基苯胺和苯基吗啉的制备及性质研究,及其某些衍生物的制备及性质研究
机译:低温处理的Sn掺杂In2O3薄膜的电性能:微观结构和氧含量的作用以及缺陷调制掺杂的潜力
机译:sn掺杂对Fe掺杂In2O3外延薄膜形貌和性能的影响
机译:离子束溅射制备低掺杂sn掺杂In2O3(ITO)薄膜。
机译:In2O3-SnO2前驱体的应用液及其制备方法及In2O3-SnO2薄膜的制备方法
机译:In2O3-SnO2前体溶胶的制备方法及In2O3-SnO?2薄膜的制备方法?
机译:MFMox器件应用中通过掺杂金属氧化物绝缘体控制In2O3薄膜电阻率
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