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杨帆; 马瑾; 冯先进; 孔今沂; 张凯;
山东大学物理与微电子学院,山东济南250100;
MOCVD; In2O3薄膜; 结构性质; 光电性质;
机译:MOCVD生长的In2O3多晶薄膜的晶粒取向与载流子浓度的相关性
机译:MOCVD生长的In2O3多晶薄膜晶粒取向与载流子浓度的相关性
机译:氟化氨基醇盐和酮醇化铟配合物作为用于In2O3薄膜沉积的MOCVD前驱体
机译:MOCVD制备的In2O3纳米粒子的电学和光学性质
机译:使用MOCVD制备的硫化锌:锰磷光体层的AC薄膜电致发光器件的制备和性能。
机译:MOCVD制备的具有单和双异质结的InGaN薄膜中的铟滴形成
机译:mOCVD法制备TiO2薄膜生长参数的影响mOCVD法制备TiO2薄膜生长参数的影响
机译:离子束溅射制备低掺杂sn掺杂In2O3(ITO)薄膜。
机译:In2O3-SnO2前驱体的应用液及其制备方法及In2O3-SnO2薄膜的制备方法
机译:In2O3-SnO2前体溶胶的制备方法及In2O3-SnO?2薄膜的制备方法?
机译:在In2O3氧化物上MOCVD选择性沉积C轴取向PB5GE3O11薄膜
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