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第一章引言
第二章GaSb中红外量子阱材料结构设计、分子束外延及其光学性能
§2.1中红外锑化物量子阱半导体激光器
§2.1.1量子阱、超晶格
§2.1.2中红外锑化物量子阱半导体激光器研究现状
§2.2分子束外延
§2.3存在问题
§2.4 In0.35Ga0.65Sb/In0.35Ga0.65As0.1Sb0.9/In0.35Ga0.65Sb/Al0.35Ga0.65Sb量子阱设计
§2.4.1晶格常数和晶格失配
§2.4.2禁带宽度
§2.4.3量子阱能带结构
§2.5分子束外延生长
§2.5.1分子束外延生长工艺
§2.5.2生长速率和束流的测量、校准
§2.5.3 Ⅴ/Ⅲ束流比
§2.5.4衬底生长温度
§2.5.5量子阱结构生长
§2.6量子阱的光致发光
§2.6.1快门开关顺序对量子阱光致发光的影响
§2.6.2外延层厚度对量子阱光致发光的影响
§2.6.3不同温度和激发功率下的量子阱PL特性
§2.7结论
参考文献
第三章AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)研究
§3.1异质结双极晶体管
§3.1.1异质结特性
§3.1.2异质结双极晶体管（HBT）原理
§3.1.3异质结双极晶体管（HBT）特性
§3.2 AlGaInP/GaAs HBT
§3.3存在问题
§3.4 AlGaInP/GaAs HBT制备
§3.4.1 AlGaInP/GaAs HBT工艺
§3.5电学特性的测量
§3.6集电结能带结构
§3.7 AlGaInP/GaAs HBT的电学性能
§3.7.1 AlGaInP/GaAs HBT输出特性
§3.7.2 AlGaInP/GaAs HBT Gummel图
§3.7.3 AlGaInP/GaAs HBT的开启电压
§3.8结论
参考文献
第四章欧姆接触电阻率测试仪研制及GaAs欧姆接触研究
§4.1金属-半导体接触
§4.1.1金属-半导体接触输运机理
§4.1.2接触电阻率
§4.1.3欧姆接触的质量评价
§4.1.4金属-Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体欧姆接触的制作
§4.1.5 n-GaAs的欧姆接触
§4.2欧姆接触电阻测试仪研制
§4.2.1各欧姆接触电阻率测试方法原理
§4.2.2欧姆接触电阻率测试仪结构
§4.2.3欧姆接触电阻率测试程序
§4.3 29Si+注入n-GaAs欧姆接触研究
§4.3.1 29Si+注入n-GaAs制备
§4.3.2 29Si+注入n-GaAs欧姆接触流片工艺
§4.3.3 29Si+注入n-GaAs欧姆接触电阻率
§4.4小结
参考文献
第五章结论
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