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一种采用界面失配阵列技术在GaAs衬底上生长GaSb的方法

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摘要

本发明是一种采用界面失配阵列技术在GaAs衬底上生长GaSb的方法。在GaAs衬底上，生长在GaSb，明亮的AlSb垒层及夹于其间的InAs/GaSb量子阱清晰可见、各材料层间界面突变明显、结构中没有缺陷和位错出现，表明了极高的材料结构质量。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-03-01

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 专利申请号:2021110266779 申请日:20210902

实质审查的生效

1. 一种采用界面失配阵列技术在GaAs衬底上生长GaSb的方法 [P] . 中国专利： CN114038732A . 2022-02-11
2. 一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法 [P] . 中国专利： CN103233271B . 2016.09.28
3. METHOD FOR CONTINUOUSLY GROWING GaN AND GaAs EPITAXIAL LAYERS ON Si (111)/(001) SOI SUBSTRATE OR Si (001)/(111) SOI SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE MODULE USING GaN AND GaAs EPITAXIAL LAYERS CONTINUOUSLY FORMED ON Si (111)/(001) SOI SUBSTRATE MANUFACTURED THEREBY [P] . 韩国专利： KR101875416B1 . 2018-07-06

机译：在Si（111）/（001）SOI衬底或Si（001）/（111）SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si（111）上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块）/（001）由此制造的SOI基板
4. Method for epitaxial growth of GaAs films and devices configuration independent of GaAs substrate utilizing molecular beam epitaxy and substrate removal techniques [P] . 美国专利： US4226649A . 1980-10-07

机译：利用分子束外延和衬底去除技术外延生长GaAs薄膜的方法和与GaAs衬底无关的器件结构
5. GAAS THIN FILM GROWN ON SI SUBSTRATE, AND PREPARATION METHOD FOR GAAS THIN FILM GROWN ON SI SUBSTRATE [P] . 美国专利： US2018090316A1 . 2018-03-29

机译：在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法及在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法