University of New Mexico Albuquerque NM 87106 USA;
Arizona State University Tempe AZ 82287 USA;
Gallium arsenide; Substrates; Temperature measurement; Photovoltaic cells; Photonic band gap; X-ray scattering; Lattices;
机译:通过分子束外延对GaAs(001)衬底上GaAs(001)衬底的耦合错位阵列技术
机译:在GaAs上生长GaSb的界面失配阵列形成
机译:GaSb上拉伸GaAs的外延生长和界面失配阵列的形成
机译:GaAs基材耦合耦合耦合耦合界面不合格技术的生长温度优化
机译:GaAs / AlGaAs系统的异质结:通过金属有机化学气相沉积进行的晶体生长以及使用电容电压技术进行表征,以确定导带不连续性
机译:具有周期性90°错配位错界面阵列的GaAs衬底上生长的高弛豫GaSb的结构分析
机译:具有周期性90°错配位错界面阵列的GaAs衬底上生长的高弛豫GaSb的结构分析
机译:mBE(分子束外延)在低衬底温度和生长速率下生长的Gaas薄膜的研究。