第Ⅰ型多孔硅微腔和硅基有机微腔光发射二极管的特性研究

摘要

（1）在国际上首次把脉冲电化学腐蚀方法用于第Ⅰ多孔硅微腔的制备,获得了层结构平整和光发射得到改进的多孔硅微腔.该文提出的制备多孔硅微腔的新方法还能在中心层得到直径为10nm左右、沿着腐蚀方向排列的高发光效率的硅柱.（2）首次报道了硅基有机微腔的电致发光（EL）.该微腔由上半透明金属膜、中心有源多层膜和多孔硅分布Bragg反射镜（PS-DBR）组成.半透明金属膜由Ag（20nm）构成,充当发光器件的负电极和微腔的上反射镜.有源多层膜由Al（1nm）/LiF（0.5nm）/Alq<,3>/Alq<,3>:DCJTB/NPB/CuPc/ITO/SiO<,2>组成,其中的Al/LiF为电子注入层,ITO为正电极,SiO<,2>为使正、负电极隔离的介质层.该文制作有机微腔并提高其色纯性的方法可能是实现全硅基有机光子器件或光电子器件集成较有效的一种新途径.

目录

文摘

英文文摘

第一章前言

1.1多孔硅-硅基光电子材料与器件

1.2有机发光-新一代平板显示器

1.3光学微腔-改进多孔硅发光和有机薄膜发光特性的利器

1.4本论文主要工作及创新

1.5参考文献

第二章制样装置和测试手段

2.1制样装置

2.1.1制备多孔硅的腐蚀槽

2.1.2脉冲阳极腐蚀法制备多孔硅DBRs和微腔的实验装置

2.1.3 ITO玻璃基片的预处理装置

2.1.4制备介质层SiO2和透明电极ITO的磁控溅射系统

2.1.5有机分子束沉积系统

2.2测试手段

2.2.1光致发光(PL)和反射谱

2.2.2有机发光器件的光电特性测试设备

2.2.3扫描电子显微图(SEM)

第三章脉冲电化学腐蚀法制备第Ⅰ型多孔硅微腔

3.1引言

3.2实验过程

3.3结果与讨论

3.3.1多孔硅微腔结构的SEM图

3.3.2窄PL峰随发射角的变化

3.3.3多孔硅微腔的PL在大气中的存放效应

3.3.4进一步窄化PL谱

3.4结论

参考文献

第四章硅基有机微腔光发射二极管的特性研究

4.1引言

4.2发射窄峰EL的全硅基有机微腔结构及其参数的设计

4.2.1微腔结构的设计

4.2.2微腔的结构参数设计

4.3实验

4.3.1样品的制备

4.3.2器件结构与光电特性测量

4.4结果与讨论

4.4.1微腔结构中DBR的反射谱

4.4.2硅基有机微腔结构的SEM剖面图

4.4.3硅基有机微腔结构的反射谱

4.4.4硅基有机微腔的窄EL发射

4.4.5硅基有机微腔的I-B-V特性

4.5结论

参考文献

第五章参与新设备的组建与维护和探索提高有机发光器件的性能

5.1组建和维护高真空有机分子束沉积系统

5.2器件性能的提高

致谢

攻读博士学位期间和属于这段期间但在这之后发表的论文情况

博士后期间的论文发表情况

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