摘要
Abstract
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 P-i-N二极管与平面SBD
1.3 非平面SBD
1.4 TMBS、GD-TMBS详细介绍与本论文研究内容
第二章 数值模拟方法探索
2.1 引言
2.2 数值模拟软件Csuprem与Apsys简介
2.2.1 Csuprem
2.2.2 Apsys
2.3 对平而SBD的"实验——模拟"验证
2.4 对TMBS的模拟结果与已有文献的对比
2.5 对GD-TMBS的模拟结果与已有文献的对比
2.6 本章小结
第三章 TM-TMBS建模与模拟
3.1 理论基础
3.1.1 碰撞电离
3.1.2 TMBS的不足
3.2 TM-TMBS器件建模
3.3 TM-TMBS设计参数的优化与分析
3.3.1 台而顶部宽度α
3.3.2 台而底部角度γ
3.3.3 氧化层厚度t_(ox)
3.3.4 沟槽深度d
3.3.5 设计原则
3.4 优化结构电场分布与正、反向Ⅰ-Ⅴ特性
3.4.1 电场分布
3.4.2 反向Ⅰ-Ⅴ特性
3.4.3 正向Ⅰ-Ⅴ特性
3.5 TM-TMBS的可能实现工艺
3.6 本章小结
第四章 GD-TM-TMBS建模与模拟
4.1 GD-TMBS的不足
4.2 GD-TM-TMBS器件建模
4.3 GD-TM-TMBS设计参数的优化与分析
4.3.1 台面底部角度γ
4.3.2 台面顶部宽度α
4.4 GD-TM-TMBS杂质浓度分布优化
4.4.1 解析推导
4.4.2 对新杂质浓度分布的模拟
4.5 本章小结
第五章 RC-TMBS建模与模拟
5.1 RC-TMBS器件建模
5.2 RC-TMBS的Csuprem模拟
5.2.1 Csuprem+Apsys方法的一致性验证
5.2.2 Csuprem模拟制作的RC-TMBS
5.3 RC-TMBS的Apsys模拟
5.3.1 电场分布
5.3.2 反向Ⅰ-Ⅴ特性
5.3.3 正向Ⅰ-Ⅴ特性
5.4 本章小结
第六章 结论
参考文献
攻读硕士学位期间发表论文和申请专利
致谢
