具有内嵌的沟槽肖特基整流器的沟槽DMOS晶体管

摘要

一种合并器件包括多个MOSFET单元(219)和多个肖特基整流单元(S)，以及合并器件的设计和制造方法。根据本发明的一个实施例，MOSFET单元，包括：(a)在半导体区(201)的上部内形成的第一导电类型的源区(212)，(b)在半导体区(201)的中间部分内形成的第二导电类型的本体区(204)，(c)在半导体区(201)的下部内形成的第一导电类型的漏区(202)，以及(d)与源区(212)、本体区(204)以及漏区(202)相邻提供的栅极区(211)。在本实施例中的肖特基二极管单元(S)设置在沟槽网络(219a，219b，219c)中并且包括肖特基整流接触半导体区(201)的下部的导体部分(218)。在本实施例中，沿沟槽网络(219a，219b，219c)的一个侧壁并与至少一个肖特基二极管单元(S)相邻地设置至少一个MOSFET单元栅极区(211)。