机译:使用增强型侧壁层具有低正向压降的高压4H-SiC沟槽MOS势垒肖特基整流器
Sogang Univ, Dept Elect Engn, Seoul 121742, South Korea|Elect & Telecommun Res Inst, Convergence Component & Mat Res Lab, Daejeon 305700, South Korea;
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Elect & Telecommun Res Inst, Convergence Component & Mat Res Lab, Daejeon 305700, South Korea;
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机译:高压4H-SiC结势垒肖特基整流器的等温电流-电压特性
机译:高压4H-SiC结势垒肖特基整流器的浪涌电流能力和等温电流-电压特性
机译:高压4H-SiC结型势垒肖特基(JBS)整流器的解析模型
机译:具有线性渐变掺杂轮廓的低正向下降高压沟槽MOS势垒肖特基整流器
机译:高压硅Trench侧壁氧化物合并的p-i-n /肖特基(TSOX-MPS)整流器。
机译:4H-SiC GTO器件中异常的位错聚集引起的正向压降
机译:4H-SIC沟槽型累积超级屏障整流器(TASBR),用于低正向电压降
机译:用于脉冲功率应用的高压桥式整流器模块的制作。