摘要
Abstract
第一章 引言
第一节 集成电路(IC)及集成电路制造流程简介
第二节 光刻技术
第二章 IC制造中硅片边缘上光刻工艺的波动问题现状和改善方案
第一节 硅片边缘问题概述以及光刻工艺相关问题
第二节 晶圆边缘光刻工艺问题现状分析
第三节 本论文主要内容和拟解决的问题
第三章 0.6um Power MOS工艺硅片边缘上光刻工艺的波动问题研究
第一节 Power MOS边缘离焦问题的基本介绍
第二节 边缘离焦问题的研究
第三节 本章小结
第四章 12英寸90nm/45nm边缘上光刻问题的解决方案研究
第一节 12英寸工艺技术以及硅片边缘问题的基本介绍
第二节 12寸工艺中硅片边缘上光刻工艺的波动问题研究
研究一. TWIN SCAN光刻机的CHUCK问题导致周边图形漂移的研究
研究二. EBR/WEE优化解决周边问题的研究
研究三. Leveling优化解决周边问题的研究
研究四. 硅片BEVEL的残留引起周边问题的研究
第三节 本章小结
第五章 总结与展望
参考文献
致谢
