一种IC级硅片边缘加工方法

摘要

本发明涉及一种IC级硅片边缘加工方法，该方法是先将IC级硅片划分为去除层和保留层两部分，然后将去除层的边缘倒角成一种形状，将保留层的边缘倒角成另外一种形状，并且保留层边缘倒角所形成的形状相对于位于保留层一半厚度处且平行于硅片表面的平面对称；由所形成的去除层边缘倒角与所形成的保留层边缘倒角构成的硅片边缘倒角相应于位于硅片一半厚度处且平行于硅片表面的平面非对称。采用本发明，在硅片的加工以及后续工序中因应力的原因导致的崩边、暗纹碎片现象减少，提高了成品率，降低了成本。