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第一章 绪论
1.1 GaN材料及异质结的研究进展
1.1.1 GaN材料的特点
1.1.2 GaN器件的应用和AlGaN/GaN HEMT的发展
1.2 InAlN HEMT 的研究进展
1.2.1 InAlN/GaN HEMT的特点
1.2.2 InAlN/GaN HEMT的研究进展
1.2.3 GaN基HEMT的表面态
1.3 本文研究内容及安排
第二章 InAlN/GaN HEMT异质结以及制作流程
2.1 AlGaN/GaN与InAlN/GaN异质结的极化
2.1.1.AlGaN/GaN异质结的极化
2.1.2 InAlN/GaN异质结的极化
2.2 InAlN/GaN HEMT的工艺制作流程
2.3 器件漏端结构的改进
2.3.1 肖特基作漏端的基本原理
2.3.2 肖特基作漏端的AlGaN/GaN HEMT的基本特性
2.3.3 肖特基作漏对击穿电压的改善
2.3.4 肖特基作漏的器件的频率特性
2.4 本章小结
第三章 陷阱对InAlN/GaN HEMT的影响
3.1 InAlN/GaN HEMT的基本特性
3.1.1 InAlN/GaN HEMT的基本性能
3.1.2 InAlN/GaN HEMT的频率性能
3.1.3 InAlN/GaN HEMT的电流崩塌
3.2 钝化对材料方块电阻的影响
3.2.1 传输线模型测量方法
3.2.2 钝化对InAlN/GaN材料方阻的影响
3.2.3 钝化对AlGaN/GaN材料方阻的影响
3.3 陷阱对肖特基电容-电压特性的影响
3.3.1 CV滞后法
3.3.2 光照对CV的影响
3.3.3 不同频率下的CV特性
3.4 本章小结
第四章 温度对器件陷阱和其它特性的影响
4.1 温度对InAlN/GaN肖特基特性的影响
4.1.1 温度对肖特基CV特性以及陷阱的影响
4.1.2 温度对肖特基I-V特性的影响
4.2 温度对InAlN/GaN HEMT器件陷阱和特性的影响
4.2.1 温度对材料方阻和欧姆接触的影响
4.2.2 温度对器件直流特性的影响
4.2.3 温度对陷阱和电流崩塌的影响
4.3 低温退火对InAlN/GaN HEMT器件性能的改善
4.3.1 同一器件不同温度点的退火
4.3.2 不同器件不同温度点的退火
4.3.3 低温退火对器件其它性能的影响
4.4 本章小结
第五章 结束语
致谢
参考文献
论文期间研究成果
西安电子科技大学;