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目录
第一章 绪论
1.1 研究背景
1.2 研究目的和意义
1.3 论文结构
第二章 高k栅介质MOSFETs载流子的迁移率特性
2.1 高k栅介质MOSFETs反型层载流子的迁移率
2.2 玻尔兹曼载流子输运理论
2.3 基于库伦散射和表面粗糙度散射的迁移率特性
2.4 基于软光学声子散射的迁移率特性
2.5 本章小结
第三章 小尺寸MOSFETs的量子力学效应与1/f噪声
3.1 小尺寸MOS器件的量子力学效应分析
3.2 小尺寸MOSFETs 的1/f噪声
3.3 本章小结
第四章 金属/高k栅介质MOSFETs 的1/f噪声研究
4.1 现有高k栅介质MOSFETs 1/f噪声模型讨论
4.2 基于库伦散射和表面粗糙度散射的迁移率涨落的1/f噪声模型的研究
4.3 高k栅介质MOSFETs 1/f噪声参数分析
4.4 高k栅介质MOSFETs 1/f噪声测试
4.5 本章小结
第五章 总结与展望
5.1 总结
5.2 展望
参考文献
致谢
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