机译:栅长为1.1μm的0.18μm和0.35μm栅长nMOSFET中的低频噪声的比较研究(2)
Natl Chung Shan Inst Sci & Technol, Syst Mfg Ctr, Sanxia 23742, Taiwan;
Univ Brunei Darussalam, Ctr Adv Mat & Energy Sci, BE-1410 Gadong, Brunei;
Univ Brunei Darussalam, Ctr Adv Mat & Energy Sci, BE-1410 Gadong, Brunei;
Natl Def Univ, Chung Cheng Inst Technol, Dept Elect & Elect Engn, Taoyuan 335, Taiwan;
Low-frequency noise; CMOS; MOSFET; Flicker noise; Random telegraph signals;
机译:InP基片上0.15μm栅极长度晶格匹配和晶格不匹配的MODFET的低频噪声行为
机译:在0.18- / splμ/ m栅极长度CMOS中为10-GHz LC-VCO记录Q对称电感器
机译:0.35μm栅长GaAs和InGaAs HEMT的蒙特卡罗模拟
机译:在0.13 / spl mu / m和0.18 / spl mu / m的RF CMOS技术中,热载流子应力引起的低频噪声衰减
机译:使用低温扫描透射电子显微镜对mu转座酶和mu转座体进行三维结构研究。
机译:mu m和mu s mRNA的调节产量取决于mu s poly(A)位点使用和c mu 4到M1剪接的相对效率。
机译:(C5ME5)2“ CR2(MU,ETA-1-S2)(MU,ETA-2-S2)(MU-S)和(C5ME5)2MO2的化学性质比较研究(MU,ETA-2-S2)(MU-S)2(原文:德语)
机译:激光吸收研究在1.06μm,0.53μm和0.35μm波长下进行