富硅二氧化硅薄膜的光致荧光特性研究

摘要

该文详细介绍了纳米硅薄膜的光致发光机制、制备方法、实验设计和测量结果.该文首先概括介绍纳米硅薄膜的研究现状.第二章介绍我们制备富硅二氧化硅所用的溅射系统、溅射靶的设计、样品制备过程以及组成结构和荧光特性的测量.第三章给出了我们的实验结果及其分析情况.用IR透射谱分析样品成分的相关信息.T<,a>〈1000℃时,显示了Si-O-Si键的伸展模式的两个特征吸收峰.薄膜样品结构模型为RMM和RBM两中极端情形的混合态.室温测量PL谱,激发波长为365nm,在445nm处有一发光带.峰位不随T<,a>改变,强度随T<,a>升高而增强.

目录

详细内容摘要

第一章绪论

第一节引言

第二节纳米硅薄膜的荧光特性的研究现状

1.量子限制效应发光模型

2.量子限制/发光中心模型

3.与氧有关的缺陷发光模型

第三节富硅二氧化硅薄膜的制备方法简介

1.化学气相淀积法

2.射频磁控溅射法(RFMSP)

3.离子注入技术

第二章实验过程

第一节富硅二氧化硅薄膜的制备

1.靶的制备

2.样品的制备

第二节富硅二氧化硅薄膜的退火

第三节富硅二氧化硅薄膜的特性测量

第三章结果与讨论

第一节退火温度对富硅二氧化硅薄膜结构特性的影响

第二节退火温度对荧光强度的影响

第三节溅射工作气体Ar气强对荧光强度的影响

第四节复合靶上Si/SiO2面积比对荧光特性的影响

第四章结论

ABSTRACT

致谢

参考文献