声明
摘要
第一章 绪论
1．1 MOSFET技术的发展历史
1．2 锑化物p-MOSFET的研究现状及存在问题
1．2．1 锑化物p-MOSFET的研究现状
1．2．2 锑化物p-MOSFET存在的问题
1．3 本论文的主要研究工作
第二章 MOSFET空穴迁移率基础理论
2．1 p-MOSFET工作原理
2．2 MOSFET迁移率理论研究
2．2．1 MOSFET中的散射机制
2．2．2 MOSFET迁移率研究方法
2．3 提高空穴迁移率的研究
2．3．1 应变技术的引入
2．3．2 降低界面态的研究
2．4 空穴迁移率的计算方法
第三章 锑化物材料特性和表征方法
3．1 GaSb材料基本特性
3．1．1 GaSb的电学特性
3．1．2 GaSb的光学特性
3．2 InGaSb材料基本特性
3．3 材料特性的主要表征方法
第四章 GaSb p-MOSFET器件的研究
4．1 GaSb p-MOSFET器件制备工艺介绍
4．1．1 GaSb p-MOSFET制备工艺流程
4．1．2 GaSb p-MOSFET制备的主要工艺介绍
4．2 GaSb p-MOSFET器件的电学表征
第五章 InGaSb沟道p-MOSFET器件的研究
5．1 InGaSb沟道p-MOSFET器件的制备
5．1．1 InGaSb沟道p-MOSFET外延结构生长
5．1．2 InGaSb沟道p-MOSFET器件制备工艺流程
5．2 InGaSb沟道p-MOSFET器件电学表征
第六章 结论与展望
致谢
参考文献
硕士研究生期间的研究成果
