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占鹏飞;
华中科技大学;
半导体光放大器; 全光网; 光有源器件; 光子集成; 外延生长工艺; 金属有机化学气相沉积;
机译:LP-MOCVD法生长硅基薄膜太阳能电池中ZnO:B前触点的H_2 / CH_4混合气体等离子体后刻蚀工艺研究
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机译:MOCVD杂交外延生长及一维INSB纳米结构
机译:TTIP对Si_3N_4衬底上的TiO_2薄膜进行脉冲压力MOCVD工艺研究
机译:通过MOCVD生长的高导电性和透明氧化镉薄膜:外延生长和掺杂效应
机译:基于GaInNAs的Hellish垂直腔半导体光放大器用于1.3μm工作
机译:MOCVD法抛光(1 0 0)γ-LiAlO2晶片及其对ZnO薄膜外延生长的影响
机译:通过mOCVD外延生长BGaas和BGaInas:预印刷。
机译:Hybrid MoCVD / MBE高效晶格匹配的多结太阳能电池外延生长
机译:氮化物MOCVD外延生长模式的实时监控显微成像系统
机译:在同一MOCVD生长装置中选择性外延生长和蚀刻III-V或II-VI化合物的方法
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