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黄敏敏;
暨南大学;
PHEMT; GaAs器件; 电学特性;
机译:分子束外延生长GaAs在Ge衬底上生长期间As和Ge的扩散:对器件电学特性的影响
机译:GaAs器件位移损伤与质子入射能量相关性的实验与仿真研究
机译:通过器件仿真检查AlGaAs / InGaAs pHEMT的热载流子效应
机译:InGaAs / InAs / InGaAs量子阱MOSFET的量子弹道仿真研究:掺杂和物理器件参数的影响
机译:具有硅界面钝化层的III-V MOS器件的电学特性研究。
机译:纳米结构器件的器件仿真框架下的离散杂质物理学
机译:有机薄膜晶体管中各种绝缘界面层器件的物理和电学特性研究及器件物理评价
机译:用于alxGa(1-x)as / Gaas mOsFET和相关异质结器件的Gaas和p + Gaas层的半导体器件处理蚀刻剂溶液的表征
机译:半导体器件的仿真方法,存储用于制造半导体器件的方法的仿真程序的记录介质以及使用半导体器件的仿真方法的半导体器件
机译:半导体器件仿真方法,半导体器件仿真器,用于半导体器件仿真的计算机程序以及半导体器件的制造方法
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