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Semiconductor device simulation method, semiconductor device simulator, computer program for semiconductor device simulation, and method of manufacturing the semiconductor device

机译:半导体器件仿真方法,半导体器件仿真器,用于半导体器件仿真的计算机程序以及半导体器件的制造方法

摘要

A simulation method simulates a self-aligned silicide (SALICIDE) process according to heat treatment temperatures and changes in the composition of a silicide film during first and second heat treatments. The simulation method separately simulates silicide reactions in the first and second heat treatments according to species (metal or silicon) diffusing through a silicide, to thereby improve the accuracy of simulations.
机译:一种模拟方法根据热处理温度以及第一和第二热处理期间硅化物膜成分的变化来模拟自对准硅化物(SALICIDE)工艺。该模拟方法根据扩散通过硅化物的物质(金属或硅)分别模拟第一和第二热处理中的硅化物反应,从而提高了模拟的准确性。

著录项

  • 公开/公告号US2001032330A1

    专利类型

  • 公开/公告日2001-10-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA;

    申请/专利号US20010833761

  • 发明设计人 NAOKI KUSUNOKI;

    申请日2001-04-13

  • 分类号G06F17/50;G06F9/45;G06F9/455;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 01:06:55

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