Si、InGaAs/InPMSM光电探测器的研制

摘要

该文先从MSM-PD光电二极管的发展状况入手,探讨了该器件的结构特点,基本的光学和电学性质.为了能在厦门大学物理系现有的实验条件下制备出用于光纤通信的MSM-PD光电探测器,探索了以下几个方面的工作:1.根据光通信的要求和该实验室的现有条件,进行了版图的设计.2.为了实现2-3微米精度的栅状电极的光刻,对该器件电极的

目录

论文摘要

第一章 引言

参考文献

第二章 MSM光电探测器的基本原理和结构设计

2.1 器件结构

2.2 能带分析

2.3 器件原理

2.4 电流-电压特性

2.5 平带电压和击穿电压

2.6 电极结构和时间常数的关系

参考文献

第三章 光谱响应研究

参考文献

第四章 制版及版图设计

参考文献

第五章 器件工艺探索

5.1 器件工艺流程图

5.2 材料生长的剖面图

5.3 Si基的MSM光电探测器的具体制作工艺

5.3.1 硅片的表面处理

5.3.2 氧化硅片，生成6000A厚的SiO2

5.3.3 表面疏水处理

5.3.4 第一版光刻一一台面的光刻

5.3.5 疏水处理—烘干片子—涂胶—光刻第二版—刻蚀第二版

5.3.6.溅射金属

5.3.7 剥离工艺

参考文献

第六章 测试和结论

致谢