声明
摘要
第一章 绪论
1.1 研究背景与意义
1.1.1 太阳能电池的发展历史
1.1.2 InGaN太阳能电池的研究意义
1.1.3 InGaN太阳能电池的研究进展
1.1.4 InGaN/GaN多量子阱太阳能电池的特点
1.2 InGaN太阳能电池存在的问题及挑战
1.2.1 高In组分InGaN材料的生长
1.2.2 极化效应的影响
1.2.3 p型掺杂及欧姆接触
1.3 本论文的研究内容与结构安排
参考文献
第二章 InGaN/GaN多量子阱太阳能电池研究基础
2.1 太阳能电池基本原理
2.1.1 太阳能电池的基本工作原理
2.1.2 太阳能电池的光电特性及主要表征参数
2.2 InGaN材料的生长技术及表征方法
2.2.1 MOCVD生长技术
2.2.2 InGaN材料的光电特性表征方法
2.3 InGaN/GaN多量子阱太阳能电池制备工艺的主要设备及测试方法
2.3.1 太阳能电池制备工艺主要设备
2.3.4 测试系统及测试方法
2.4 本章小结
参考文献
第三章 InGaN/GaN多量子阱太阳能电池的制备及特性分析
3.1 InGaN/GaN多量子阱太阳能电池材料及光学特性分析
3.2 InGaN/GaN多量子阱太阳能电池的制备
3.3 InGaN/GaN多量子阱太阳能电池的性能分析
3.5 本章小结
参考文献
第四章 极化效应对InGaN/GaN多量子阱太阳能电池特性的影响
4.1 Ⅲ族氮化物材料中的极化效应
4.1.1 极化产生的原因
4.1.2 自发极化与压电极化
4.1.3 极化效应的计算
4.2 极化效应对器件的影响
4.2.1 测试原理及方法
4.2.2 极化效应对InGaN/GaN多量子阱太阳能电池特性的影响
4.3 本章小结
参考文献
第五章 结论与展望
硕士期间发表的论文
致谢