Fabrication and Characteristics of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Solar Cells

摘要

作为第三代半导体材料，InGaN凭借其优异的光伏特性，近年来已成为国际上关注的热点。InxGa1-xN合金不仅具有连续可调的直接带隙结构(0.7~3.4eV)，其吸收光谱几乎与太阳光谱完美匹配，还具有高吸收系数、高电子迁移率、高硬度、耐高温、抗辐射能力强等优点，是实现全光谱太阳能电池的理想材料，在高效太阳能电池方面展现出了巨大的发展潜力。本文以InGaN/GaN多量子阱太阳能电池为核心，在材料表征、器件制备、性能测试、极化效应对器件的影响等多方面进行了细致深入的研究工作，主要研究成果包括以下几个方面： (1)制作了In组分为0.2的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池，将电池的光谱响应拓展到...