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目录
1 绪论
1.1 SOI高压器件技术概述
1.2 SOI高压器件研究现状
1.3 高压SOI介质场增强技术
1.4 本文的研究内容及创新点
2 界面N+硅岛SOI及部分SOI衬底高压器件
2.1 INI SOI p-LDMOS高压器件
2.2 INI PSOI LDMOS结构及耐压机理
2.3 界面电荷岛PSOI N沟道LDMOS
2.4 本章小结
3 PBN LDMOS高压器件
3.1 PBN SOI高压器件
3.2 PSOI LDMOS结构及机理
3.3 本章小结
4 TLTS SOI LDMOS器件
4.1 器件结构
4.2 耐压机理
4.3 击穿特性研究
4.4 工艺流程
4.5 本章小结
5 结论
致谢
参考文献
附录: 作者在攻读学位期间发表的论文