SRAM chips; VLSI; electrical faults; SRAM; VLSI system; active leakage power; experimental verification; low active leakage; low power; row-by-row variable VDD scheme; self-aligned timing generation;
机译:通过逐行动态VDD控制(RRDV)方案将低压SRAM的泄漏功率降低了两个数量级
机译:逐行动态VDD控制(RRDV)方案,低压SRAM的两个幅度泄漏功率降低
机译:Sub-Vow V-V_(DD)SRAM的两个数量级的漏电流减小的逐行动态源极线电压控制(RRDSV)方案
机译:逐行可变V / sub DD /方案的实验验证,可降低SRAM 95%的有源泄漏功率
机译:采用7NM FinFET技术的SRAM单元的漏电攻击恢复设计
机译:旨在减少高坝洪水泄洪引起的地面振动的最佳运行方案的提出与验证
机译:逐行动态源线电压控制(RRDsV)方案,用于减少亚1VVDD sRam的两个数量级漏电流