机译:Sub-Vow V-V_(DD)SRAM的两个数量级的漏电流减小的逐行动态源极线电压控制(RRDSV)方案
机译:Sub-Vow动态源极线电压控制(RRDSV)方案,可降低Sub-1-V-VDD SRAM的两个数量级的漏电流
机译:Sub-Vow动态源极线电压控制(RRDSV)方案,可降低Sub-1-V-VDD SRAM的两个数量级的漏电流
机译:逐行动态源极线电压控制(RRDSV)方案,可将低于1V-VDD的SRAM的泄漏电流降低两个数量级
机译:除了用于基于SRAM的单元中的泄漏和温度控制的存储单元以外,外围电路还具有重要意义。
机译:低压电网中降低电压不平衡的协调单相控制方案
机译:sRam设计漏电流降低技术的优化方案
机译:多点室温下的阈值电压改善和栅极漏电流降低操作单电子晶体管(RT-sET)