J.I.P.ELEC, 11 chemin du Vieux Chene, 38240 Meylan Zirst, France;
机译:MOCVD的无溶剂蒸气源的表征
机译:在金属有机化学气相沉积(MOCVD)室中使用锗烷前体在硅(001)上生长锗外延膜并进行表征
机译:金属有机化学气相沉积(MOCVD)制备的Pt-TiO {sub} 2复合纳米材料的伏安特性
机译:用于MOCVD的无溶剂VAPE源的表征
机译:具有有机钒配合物的均相烯烃聚合,以及用于MOCVD的III-V单源前驱体分子的合成和表征。
机译:纠缠光子的波长可调源与原子蒸气的界面
机译:在金属有机化学气相沉积(mOCVD)室中使用锗烷前体在硅(001)上生长和表征锗外延膜
机译:用新型mOCVD(金属有机化学气相沉积)技术制备用于光电转换的薄膜:年度分包报告,1985年2月15日至1985年4月15日