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第一章 MOCVD概述
第二章金属DPM螯合物的结构特征及其性能表征技术
第三章Fe(DPM)3的制备与性能表征
第四章Co(DPM)3的制备与性能表征
第五章Cr(DPM)3的制备与性能表征
第六章Pr(DPM)3的制备与性能表征
第七章Mn(DPM)3的制备与性能表征
结束语
攻读硕士学位期间发表的学术论文
王艳艳;
中国科学技术大学;
金属有机物; 化学气相淀积; 固体氧化物电池; 红外吸收光谱;
机译:用单源前驱体MOCVD制备的γ-In_2Se_3薄膜的光致发光的压力依赖性
机译:单源前驱体双(3-巯基-1-丙戊硫醇)Sn(II)MOCVD法制备SnS薄膜
机译:单源前驱体双(3-巯基-1-丙硫基)Sn(II)MOCVD法制备SnS薄膜
机译:C轴和非C轴的铁电性能表征,其外延生长层结构的铁电薄膜用MOCVD制备的不同M号
机译:使用MOCVD制备的硫化锌:锰磷光体层的AC薄膜电致发光器件的制备和性能。
机译:MOCVD制备的具有单和双异质结的InGaN薄膜中的铟滴形成
机译:mOCVD法制备TiO2薄膜生长参数的影响mOCVD法制备TiO2薄膜生长参数的影响
机译:用mOCVD制备CaO绝缘体涂层用于聚变反应堆中
机译:支链的单烷基基团v A化合物作为MOCVD元素源
机译:支链单烷基VA化合物作为MOCVD元素源
机译:源极交替MOCVD工艺以沉积氮化钨薄膜作为MOCVD铜互连的阻挡层
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