公开/公告号CN111304742A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-19
原文格式PDF
申请/专利权人 木昇半导体科技(苏州)有限公司;
申请/专利号CN202010127449.X
申请日2020-02-28
分类号
代理机构南京苏科专利代理有限责任公司;
代理人姚姣阳
地址 215000 江苏省苏州市高新区竹园路209号4号楼2301-12
入库时间 2023-12-17 09:38:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-14
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B25/14 申请日:20200228
实质审查的生效
2020-06-19
公开
公开
机译: 沉积氮化氮化物薄膜作为阻挡层用于MOCVD铜互连的源交替MOCVD工艺
机译: 源极交替MOCVD工艺以沉积氮化钨薄膜作为MOCVD铜互连的阻挡层
机译: 源极交替MOCVD工艺以沉积氮化钨薄膜作为MOCVD铜互连的阻挡层