机译:单源前驱体双(3-巯基-1-丙硫基)Sn(II)MOCVD法制备SnS薄膜
机译:单源前驱体双(3-巯基-1-丙戊硫醇)Sn(II)MOCVD法制备SnS薄膜
机译:使用单源前驱物通过MOCVD制备In_2S_3薄膜:三(N,N-乙基丁基二硫代氨基甲酸酯)铟(III)和三(2-乙基哌啶二硫代氨基甲酸酯)铟(III)
机译:单源前驱体Tris( N i>, N i>-乙基丁基二硫代氨基甲酸酯)MOCVD制备In 2 sub> S 3 sub>薄膜)铟(III)和三(2-乙基哌啶二硫代氨基甲酸酯)铟(III)
机译:从ZnSe和Cu_2SNS_3前体生长的Cu_2ZnSnSe_4薄膜的制备与表征在两个阶段过程中
机译:单混合前驱体MOCVD制备钇钡氧化铜高转变温度超导薄膜及其表征。
机译:使用Cu-Zn-Sn-O前体优化CZTSSE薄膜通过掺杂的CZTS薄膜制造的薄膜
机译:NBU2SN(SNBU)2和NBU3SNENBU(E = S或SE) - SNS和SNSE热电薄膜CVD的有效单源前体