Semiconductor lasers; CVD; Nitrides; Epitaxial deposition; Quantum well semiconductor epitaxial layers; Quantum well lasers; Semiconductor heterojunctions;
机译:通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的1.5μm的GaInAs / GaInAsP梯度折射率分离禁区异质结构多量子阱(GRIN-SCH-MQW)激光二极管
机译:1.3μmInAsP / InP激光二极管的应变多量子阱结构的MOCVD生长
机译:通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)完全生长的1.3μm GaInAsP / InP掩埋异质结构渐变折射率分离禁区多量子阱(BH-GRIN-SC-MQW)激光器
机译:MOCVD多量子阱异质结构和激光二极管的MOCVD生长和表征
机译:MOCVD生长和非极性和半极性氮化镓基绿色激光二极管的表征
机译:使用非对称In0.15Ga0.85N / In0.02Ga0.98N多量子阱提高InGaN激光二极管的输出功率
机译:AlGaInN多量子阱异质结构和激光二极管的MOCVD生长和表征
机译:mOCVD生长的InGaasp双异质结构二极管激光器。