University of Paderborn, Department of Physics, Warburger Str. 100, D-33098 Paderborn, Germany;
机译:在Al0.245Ga0.755N / GaN异质结构和Ni / Au肖特基接触之间插入薄铝层的肖特基二极管中的漏电流机制
机译:在Al0.245Ga0.755N / GaN异质结构和Ni / Au肖特基接触之间插入薄铝层的肖特基二极管中的漏电流机制
机译:金属/ al_xga_(1-x)n / gan肖特基二极管介导的界面态反向泄漏
机译:立方GaN和AL_XGA_(1-X)N嗜酸线镍肖特基二极管电流泄漏机制
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:闪锌矿(立方)GaN肖特基二极管的X射线检测
机译:金属/ GaN肖特基二极管反向偏置漏电流机制分析