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Analysis of Reverse-Bias Leakage Current Mechanisms in Metal/GaN Schottky Diodes

机译：金属/ GaN肖特基二极管反向偏置漏电流机制分析

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P. Pipinys; V. Lapeika;
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年度 2010
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1. Analysis of Reverse-Bias Leakage Current Mechanisms in Metal/GaN Schottky Diodes [J] . P. Pipinys, V. Lapeika Advances in condensed matter physics . 2010,第Regular期

机译：金属/ GaN肖特基二极管的反向偏置漏电流机理分析
2. Analysis of Reverse-Bias Leakage Current Mechanisms in Metal/GaN Schottky Diodes [J] . P.Pipinys, V.Lapeika Advances in condensed matter physics . 2010,第2期

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3. Temperature dependence of reverse-bias leakage current in GaN Schottky diodes as a consequence of phonon-assisted tunneling [J] . P. Pipinys, V. Lapeika Journal of Applied Physics . 2006,第9期

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4. Mechanism of current leakage in Ni Schottky diodes on cubic GaN and Al_xGa_(1-x)N epilayers [C] . D.J. As, S. Potthast, J. Fernandez, Symposium on GaN, AIN, InN and Related Materials . 2006

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5. Bimetallic effects in the homopolymerization of styrene and copolymerization of ethylene and styrenic comonomers. Scope, kinetics, and mechanism/catalytic in situ synthesis of high energy storage density metal oxide-polyolefin nanocomposites using supported metallocenes. Systematics of nanoparticle, shape, and interfacial characteristics on leakage current density, permittivity, and breakdown strength [D] . Guo, Neng 2007

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