法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-01-16
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/872 授权公告日:20090812 终止日期:20111110 申请日:20061110
专利权的终止
2009-08-12
授权
授权
2008-07-09
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-05-14
公开
公开
机译: 氮化镓半导体发光元件及其制备方法,氮化镓发光二极管,表观晶圆和制备氮化镓发光二极管的方法
机译: 氮化镓半导体发光元件及其制备方法,氮化镓发光二极管,表观晶圆和制备氮化镓发光二极管的方法
机译: 氮化镓半导体发光元件及其制备方法,氮化镓发光二极管,表观晶圆和制备氮化镓发光二极管的方法