Acreo AB, Department for Industrial Nano- Microtechnology Electrum 236, SE -164 40 Kista, Sweden;
机译:氢化物气相外延在SiC上生长并掺杂Zn的高阻p-GaN薄膜的深中心研究
机译:氢化物气相外延在SiC衬底上生长的Mg掺杂p-GaN薄膜的缺陷研究
机译:通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的AI↓(x)Ga↓(1-x)N薄膜合金的受主和施主掺杂
机译:铝掺杂在SiC气相外延的压力依赖性
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:生长宽带隙半导体氮化铝晶体的环保方法:基本源气相外延
机译:气相掺杂:经典化学气相沉积外延中原子层沉积方法用于n型掺杂
机译:用于毫米波应用的金属有机气相外延生长在siC上的alInN HEmT