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一种B掺杂SiC纳米带大应变系数高灵敏压力传感器及其制备方法

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摘要

本发明涉及一种B掺杂SiC纳米带大应变系数高灵敏压力传感器及其制备方法，属于传感器技术领域。本发明的压力传感器包括原子力显微镜探针、石墨基底和负载于石墨基底上的B掺杂SiC纳米带，功能单元为B掺杂SiC纳米带。本发明的压力传感器具有耐高温、应变系数高、灵敏度高的特点，可在极端条件下使用。

公开/公告号CN107271082B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-05-22

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申请/专利权人宁波工程学院;
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申请/专利号CN201710381749.9
发明设计人高凤梅;李笑笑;陈善亮;王霖;杨为佑;
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申请日2017-05-26
分类号G01L1/18(20060101);G01L9/06(20060101);C01B32/977(20170101);B82Y40/00(20110101);
代理机构33243 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人洪珊珊
地址 315016 浙江省宁波市海曙区翠柏路89号
入库时间 2022-08-23 10:59:15

1. 一种B掺杂SiC纳米带大应变系数高灵敏压力传感器及其制备方法 [P] . 中国专利： CN107271082B . 2020.05.22
2. 一种B掺杂SiC纳米线大应变系数高灵敏压力传感器 [P] . 中国专利： CN106006539B . 2017.06.20
3. a method for introduction of an impurity dopant in sic, a semiconductor device formed by the mehtod and a use of a highly doped amorphous layer as a source for dopant diffusion into sic [P] . SE9501310D0 . 1995-04-10

机译：一种在SiC中引入杂质掺杂剂的方法，由该方法形成的半导体器件以及使用高掺杂非晶层作为掺杂剂扩散到SiC中的源
4. Method for introduction of an impurity dopant in SiC, a semiconductor device formed by the method and a use of a highly doped amorphous layer as a source for dopant diffusion into SiC [P] . 美国专利： US6096627A . 2000-08-01

机译：在SiC中引入杂质掺杂剂的方法，通过该方法形成的半导体器件以及使用高掺杂非晶层作为掺杂剂扩散到SiC中的源
5. Method for introduction of an impurity dopant in SiC, a semiconductor device formed by the method and a use of highly doped amorphous layer as a source for dopant diffusion into SiC [P] . 美国专利： US5851908A . 1998-12-22

机译：在SiC中引入杂质掺杂剂的方法，通过该方法形成的半导体器件以及使用高掺杂非晶层作为掺杂剂扩散到SiC中的源