Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technology, 4800 Oak Grove Drive, Pasadena, CA 91109, U.S.A.;
机译:用X射线衍射研究介电孔隙率对高级Cu / low-k互连中应力的影响
机译:介孔SiO {sub} 2作为低k电介质,用于集成在Cu /低k互连系统中
机译:孔隙率对真空-紫外线辐射低k电介质电性能的影响
机译:介孔低k电介质孔隙率综合研究模型
机译:用于高级互连的多孔低k电介质的机械可靠性:多孔低k电介质的不稳定性机理及其通过惰性等离子体引发的骨架结构再聚合的介导研究。
机译:铜低k互连中随时间变化的介电击穿:机理和可靠性模型
机译:铜低k互连中与时间相关的介电击穿:机制和可靠性模型
机译:用高强度慢正电子束二维角相关实验研究低k介质薄膜中的正电子