Department of Chemical Engineering, University of Pennsylvania, Philadelphia, PA 19104;
机译:Czochralski硅晶体中瞬态点缺陷动力学的建模
机译:直拉硅晶体生长过程中瞬态点缺陷行为的数值分析
机译:氮掺杂直拉生长硅衬底上外延层的晶体缺陷(Ⅱ)“通过控制晶体生长条件和碳共掺杂抑制外延层中的晶体缺陷”
机译:Czochralski硅晶体生长中缺陷动态瞬态模型的参数化
机译:Czochralski晶体生长过程的建模,动力学和控制。
机译:随机增长和复位模型中的瞬态动态
机译:Czochralski-硅晶体生长期间点缺陷扩散,重组和反应的识别和成像