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Kanagawa Univ., Hiratsuka, Japan;
Kanagawa Univ., Hiratsuka, Japan;
Kanagawa Univ., Hiratsuka, Japan;
Tokyo Univ. of Agric. and Tech., Koganei, Japan;
机译:使用热C +离子注入工艺在体硅衬底中形成SiC纳米点
机译:使用热-C +ION植入工艺在Buk-Si衬底中形成SiC纳米点形成
机译:(100)绝缘体上硅衬底中的纳米SiC区域形成:优化C- +离子注入工艺以提高光致发光强度
机译:SiC纳米点形成在Hot-C + Sup> -ion植入体 - Si衬底中的Si表面取向依赖性
机译:硅(001)表面和图案化硅(001)表面上的锗纳米点的硅/锗异质结构的生长和表征。
机译:与酪氨酸结合在石墨烯表面上的构象依赖性有关的数据:Bent优先于平行取向
机译:塑性变形行为的取向依赖性和断裂能量吸收机制纹理Ti 3 sub> SiC 2 sub>烧结体的凹陷
机译:通过离子注入在siC中形成用于柔顺衬底的掩埋软层