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公开/公告号CN108723897B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-18
原文格式PDF
申请/专利权人 西安理工大学;
申请/专利号CN201810548120.3
发明设计人 李淑娟;梁列;赵智渊;袁启龙;李言;蒋百铃;
申请日2018-05-31
分类号B24B1/00(20060101);
代理机构61214 西安弘理专利事务所;
代理人张倩
地址 710048 陕西省西安市金花南路5号
入库时间 2022-08-23 11:25:36
机译: 表面改性单晶SiC衬底,具有外延生长层的单晶SiC衬底,半导体芯片,用于物种衬底的单晶SiC生长和单晶生长层多晶SiC衬底的制造方法
机译: 制造表面改性的单晶SiC基质,具有表观生长层的单晶SiC基质,半导体芯片,用于单晶SiC增长的种子基质以及多晶硅SiC基质的制造方法
机译: 受控空气接触对纳米尺度零价铁的表面改性方法及其表面改性的纳米尺度零价铁的表面改性方法
机译:合成具有非常小的直径和光学特性的取向单晶SiC纳米线阵列的尺度的简单方法
机译:表面改性和磨料抛光之间的竞争:控制4H-SiC表面原子结构的方法(0001)
机译:通过同时双束离子注入在Si单晶中对SiC纳米沉淀进行构图
机译:等离子体支撑抛光方法(III) - 单晶GaN抛光抛光的表面改性条件(III)优化
机译:通过抛光湿法蚀刻方法改善基于模板的碳纳米管阵列纳米成制造方法
机译:低压等离子体和等离子体浸没离子注入的纳米级表面改性:通过XPS方法表征成分和化学结构
机译:电镀单晶金属电镀和电解抛光结晶面的方法