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公开/公告号CN110106544B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-12
原文格式PDF
申请/专利权人 西安理工大学;
申请/专利号CN201910308863.8
发明设计人 李淑娟;尹新城;李志鹏;赵智渊;贾祯;蒋百铃;
申请日2019-04-17
分类号C25F3/30(20060101);
代理机构61214 西安弘理专利事务所;
代理人涂秀清
地址 710048 陕西省西安市碑林区金花南路5号
入库时间 2022-08-23 11:32:03
机译: 单晶SiC基体,具有表观生长层的单晶SiC基体,SiC基体,碳供料基体和碳纳米材料的SiC基体
机译: 用于制造单晶SiC的原料,用于制造单晶SiC的方法,使用该原料制造单晶SiC的方法以及通过该方法获得的单晶SiC
机译: 用于制造单晶SiC的材料,用于制造该材料的方法,用于使用该材料制造单晶SiC的方法以及通过用于制造单晶SiC的方法获得的单晶SiC
机译:合成具有非常小的直径和光学特性的取向单晶SiC纳米线阵列的尺度的简单方法
机译:单晶SiC高效复合抛光方法的发展
机译:单晶SiC高效复合抛光方法的研制
机译:通过电化学机械抛光(第1次报告) - 改善抛光速率的研究,对单晶SiC板的高效率,损坏自由抛光
机译:通过抛光湿法蚀刻方法改善基于模板的碳纳米管阵列纳米成制造方法
机译:单晶6H-SiC滑移变形的原子尺度表征和纳米可加工性
机译:一种从原子尺度到连续毫米长度尺度无缝过渡的准连续谱方法及其在单晶材料纳米压痕中的应用
机译:电镀单晶金属电镀和电解抛光结晶面的方法