机译:使用热-C +ION植入工艺在Buk-Si衬底中形成SiC纳米点形成
Kanagawa Univ Dept Sci Hiratsuka Kanagawa 2591293 Japan;
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Tokyo Univ Agr & Technol Dept Engn Koganei Tokyo 1848588 Japan;
机译:使用热C +离子注入工艺在体硅衬底中形成SiC纳米点
机译:(100)绝缘体上硅衬底中的纳米SiC区域形成:优化C- +离子注入工艺以提高光致发光强度
机译:使用热C〜+离子注入技术在非晶硅和多晶硅衬底中形成SiC纳米点
机译:热C + sup>-离子注入体硅衬底中SiC纳米点形成的Si表面取向依赖性
机译:SiC / SiC纤维增强复合材料:加工,机械性能和相变的影响
机译:体硅衬底上的新型14nm扇贝形FinFET(S-FinFET)
机译:通过离子注入在siC中形成用于柔顺衬底的掩埋软层
机译:通过离子注入在siC中形成用于柔顺衬底的掩埋软层