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机译:使用热C〜+离子注入技术在非晶硅和多晶硅衬底中形成SiC纳米点
Kanagawa Univ, Dept Sci, Hiratsuka, Kanagawa 2591293, Japan;
Kanagawa Univ, Dept Sci, Hiratsuka, Kanagawa 2591293, Japan;
Kanagawa Univ, Dept Sci, Hiratsuka, Kanagawa 2591293, Japan;
Tokyo Univ Agr & Technol, Dept Engn, Koganei, Tokyo 1848588, Japan;
机译:(100)绝缘体上硅衬底中的纳米SiC区域形成:优化C- +离子注入工艺以提高光致发光强度
机译:使用热C +离子注入工艺在体硅衬底中形成SiC纳米点
机译:使用热-C +ION植入工艺在Buk-Si衬底中形成SiC纳米点形成
机译:热C + sup>-离子注入体硅衬底中SiC纳米点形成的Si表面取向依赖性
机译:通过MEVVA注入形成SiC / Si异质结构并对其进行表征。
机译:采用无注入技术的全栅TiN / Al2O3堆叠结构的低温多晶硅纳米线无结器件
机译:通过离子注入在siC中形成用于柔顺衬底的掩埋软层
机译:通过离子注入在siC中形成用于柔顺衬底的掩埋软层