机译:蚀刻纳米点的方法,从衬底去除纳米点的方法,制造集成电路器件的方法,蚀刻包括后过渡金属的层的方法以及从衬底去除包括后过渡金属的层的方法
公开/公告号US7993539B2
专利类型
公开/公告日2011-08-09
原文格式PDF
申请/专利权人 EUGENE P. MARSH;
申请/专利号US20100914814
发明设计人 EUGENE P. MARSH;
申请日2010-10-28
分类号B44C1/22;C03C15;C03C25/68;C23F1;
国家 US
入库时间 2022-08-21 18:09:23