Max-Planck-lnstitut fuer Festkoerperforschung, Heisenbergstr. 1, D-70569 Stuttgart, Germany;
Max-Planck-lnstitut fuer Festkoerperforschung, Heisenbergstr. 1, D-70569 Stuttgart, Germany;
surface; graphene; epitaxial graphene; low energy electron diffraction; angle resolved ultraviolet photoelectron spectroscopy; 4H-SiC; 6H-SiC;
机译:在离轴4H-SiC上生长的外延石墨烯的结构和电子性质的高分辨率研究(0001)
机译:衬底取向对SiC(0001)上外延石墨烯结构和电子性能的影响
机译:SiC(0001)上外延石墨烯的结构和电子性质:生长,表征,转移掺杂和氢嵌入的综述
机译:AB Initio研究石墨烯/ SIC {0001}界面的结构和电子性质
机译:2-D电子材料:6h-碳化硅上石墨烯的外延生长(0001)
机译:3C–SiC(100)/ Si(100)衬底上外延石墨烯的结构和电子性能研究
机译:SiC(0001)上锂嵌入石墨烯的结构和电子性质